深圳市威铭熹科技有限公司

    MOSFET  STM32F031G6U6TR 原装物料

制造商:    Vishay     

产品种类:    MOSFET     
RoHS:    详细信息    
技术:    Si     
安装风格:    Through Hole     
封装 / 箱体:    TO-247-3     
晶体管极性:    N-Channel     
通道数量:    1 Channel     
Vds-漏源极击穿电压:    500 V     
Id-连续漏极电流:    20 A     
Rds On-漏源导通电阻:    270 mOhms     
Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V     
Vgs th-栅源极阈值电压:    2 V     
Qg-栅极电荷:    120 nC     
工作温度:    - 55 C     
工作温度:    + 150 C     
Pd-功率耗散:    280 W     
通道模式:    Enhancement     
封装:    Tube     
配置:   Single    
系列:   IRFP    
晶体管类型:   1 N-Channel    
商标:   Vishay Semiconductors    
正向跨导 - 值:   12 S    
下降时间:   43 ns    
产品类型:   MOSFET    
上升时间:   77 ns    
工厂包装数量:   500    
子类别:   MOSFETs    
典型关闭延迟时间:   40 ns    
典型接通延迟时间:   18 ns    
单位重量:  6 g   

 

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